Markt für Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter soll bis 2030 1,578 Milliarden US-Dollar erreichen
Laut Angaben von QY Research betrug das weltweite Marktvolumen für Siliziumkarbidkeramik (SiC), die in Halbleitern verwendet wird, im Jahr 2023 1,111 Milliarden US-Dollar. Aufgrund der starken Nachfrage der nachgelagerten Industrien wird prognostiziert, dass der Markt für Siliziumkarbidkeramik bis 2030 auf 1,578 Milliarden US-Dollar wachsen wird, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 5,09 % zwischen 2024 und 2030.
Globale Marktgröße von Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter (Quelle: QY Research）
Siliziumkarbid-Keramik: Ein unverzichtbarer Werkstoff in Halbleitern
Die Halbleiterfertigung ist der Eckpfeiler der modernen technologischen Entwicklung. Da die Industrie weiterhin nach kleineren, schnelleren und effizienteren integrierten Schaltkreisen strebt, nehmen auch die Präzision und technische Komplexität des Herstellungsprozesses zu. Jeder Schritt dieses Prozesses ist auf leistungsstarke, hochwertige und hochpräzise Halbleiterausrüstung angewiesen.
Siliziumkarbidkeramiken werden aufgrund ihrer hohen Härte, ihres hohen Schmelzpunkts, ihrer hohen Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit sowie ihrer hervorragenden Oxidationsbeständigkeit, Hochtemperaturfestigkeit, chemischen Stabilität, Wärmeschockbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Gasdichtigkeit häufig in wichtigen Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt. Dazu gehören Anwendungen in kritischen Prozessen wie Schleifen und Polieren, Epitaxie/Oxidation/Diffusionswärmebehandlung, Lithografie, Abscheidung, Ätzen und Ionenimplantation.
Klassifizierung und Herstellungsverfahren von Siliziumkarbidkeramik
Der Markt für Halbleiterkeramiken aus Siliziumkarbid kann nach Technologie kategorisiert werden. Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid ist das wichtigste Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbidkeramik und machte im Jahr 2023 66,48 % des weltweiten Marktumsatzes aus. Darüber hinaus halten CVD-Siliziumkarbid und drucklos gesintertes Siliziumkarbid ebenfalls bedeutende Marktanteile, obwohl andere Verfahren in ihrer Anwendung relativ begrenzt sind. CVD-Siliziumkarbidmaterialien eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Kombination hervorragender thermischer, elektrischer und chemischer Eigenschaften hervorragend für die Halbleiterindustrie. Sie werden häufig in Ätzgeräten, MOCVD-Geräten, SiC-Epitaxiegeräten, Geräten zur schnellen thermischen Verarbeitung und mehr verwendet.
Laut QY Research erreichte der weltweite Marktumsatz für CVD-Siliziumkarbidkomponenten im Jahr 2022 813 Millionen US-Dollar und dürfte bis 2028 auf 1,432 Milliarden US-Dollar anwachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 10,61 % entspricht.
Hohe Konzentration auf dem Markt für Halbleiter-Siliziumkarbidkeramik
Die Produktion von Halbleiterkeramiken aus Siliziumkarbid konzentriert sich hauptsächlich auf Nordamerika, Europa und Japan, wobei Japan der größte Produzent ist und im Jahr 2023 etwa 30 % der weltweiten Produktion ausmacht. Nordamerika, Europa, China, Japan, Taiwan und Südkorea sind die wichtigsten Verbrauchsregionen. Unter ihnen ist Kyocera aus Japan der weltweit größte Hersteller mit einem Umsatzanteil von etwa 23,54 % im Jahr 2023. Auch andere Unternehmen wie CoorsTek und Tokai Carbon sind in der Branche bekannt. Chinas Entwicklung von präzisen Strukturkomponenten aus Siliziumkarbid für Halbleiterausrüstung hat jedoch später begonnen als international führende Unternehmen, und es gibt noch eine Lücke zu schließen.
Weltweiter Umsatz und Wachstumsrate von Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter
Die in Halbleiterausrüstungen verwendeten Siliziumkarbidkomponenten stehen am vorgelagerten Ende der Halbleiterversorgungskette und spielen in der Branche eine entscheidende Rolle. Beeinflusst durch Veränderungen im internationalen Umfeld und in der Handelspolitik liegt der Fokus zunehmend auf der Stärkung der unabhängigen Kontrolle Chinas über seine Halbleiterausrüstungs- und -komponentenindustrie. Inländische Ausrüstung und Komponenten werden von lokalen Waferherstellern und Produzenten epitaktischer Wafer zunehmend bevorzugt. Da lokale Hersteller ihre technologischen Entwicklungs- und Industrialisierungsprozesse beschleunigen, wird erwartet, dass sich die Lokalisierung von Siliziumkarbidkomponenten in Halbleiterausrüstungen in Zukunft weiter beschleunigen wird.
Quelle:
QY Forschung
Halbleiterprozesse und -ausrüstung
China Pulver Netzwerk
Gaohong Investitionsforschungszentrum
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