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Aluminiumnitrid (AlN)

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Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit (≥170 W/m·K), hervorragende elektrische Isolierung und geringe Wärmeausdehnung aus. Dadurch eignet sie sich ideal für die Wärmeableitung und elektronische Verpackung, insbesondere für Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik. Wie andere Keramikmaterialien weist sie eine hohe Härte, ausgezeichnete mechanische Festigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität auf und eignet sich daher für Strukturkomponenten in rauen Umgebungen.


AlN-Keramiken bieten eine ausgezeichnete thermische Stabilität und behalten ihre Eigenschaften in inerter Atmosphäre über 2000 °C. In der Luft beginnt die Oxidation bei etwa 600–700 °C und bildet eine schützende Al2O3-Schicht, die die weitere Oxidation verlangsamt. Diese Schicht bleibt bis etwa 1370 °C stabil, bei höheren Temperaturen kann die Oxidation jedoch fortschreiten und die Integrität des Materials beeinträchtigen.



Eigenschaften


  • Hohe Härte und hervorragende mechanische Festigkeit

  • Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit

  • Wärmeausdehnung ähnlich der von Silizium

  • Hervorragende Wärmeleitfähigkeit

  • Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit

  • Ungiftig und umweltfreundlich

  • Hohe elektrische Durchschlagsfestigkeit

  • Niedrige Dielektrizitätskonstante und minimaler dielektrischer Verlust


Datenblatt


Artikel

Einheit

Technische Parameter

Reinheit

-

95

Farbe

-

Hellgrau

Dichte

g/cm3

≥3,30

Wasseraufnahme

-

0 %

Härte (HV0,5)

-

1130

Elastizitätsmodul

Notendurchschnitt

310-320

Bruchzähigkeit

Mpa.m1/2

3.5

Biegefestigkeit bei 25 °C

Mpa

330

Druckfestigkeit bei 25 °C

Mpa

2100

Wärmeleitfähigkeit bei 25 °C

W/MK

≥170

Wärmeausdehnungskoeffizient

(20~300℃)

10-6/℃

4.7

Thermoschockbeständigkeit

△℃

400

Max. Betriebstemperatur

@Klimaanlage

900

Max. Betriebstemperatur

@Schutzbedingung für Inertgas

1800

Schmelzpunkt

2500

Durchschlagsfestigkeit

KV/mm

17

Volumenwiderstand

Ohm.cm

>1014

Dielektrizitätskonstante (1 MHz, 25 °C)

-

9

Dielektrischer Verlust (1 MHz, 25 °C)

-

0,001


Anwendungen


  • Halbleiterausrüstungsmodule

  • Optische Kommunikations- und HF-Module

  • LED- und Laser-Verpackungsmodule

  • Leistungselektronikmodule

  • Wärmemanagementkomponenten

  • Hochfrequenz-Mikrowellen- und Radarmodule

  • Medizinische und sensorische Module


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