Aluminiumnitrid (AlN)
Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit (≥170 W/m·K), hervorragende elektrische Isolierung und geringe Wärmeausdehnung aus. Dadurch eignet sie sich ideal für die Wärmeableitung und elektronische Verpackung, insbesondere für Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik. Wie andere Keramikmaterialien weist sie eine hohe Härte, ausgezeichnete mechanische Festigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität auf und eignet sich daher für Strukturkomponenten in rauen Umgebungen.
AlN-Keramiken bieten eine ausgezeichnete thermische Stabilität und behalten ihre Eigenschaften in inerter Atmosphäre über 2000 °C. In der Luft beginnt die Oxidation bei etwa 600–700 °C und bildet eine schützende Al2O3-Schicht, die die weitere Oxidation verlangsamt. Diese Schicht bleibt bis etwa 1370 °C stabil, bei höheren Temperaturen kann die Oxidation jedoch fortschreiten und die Integrität des Materials beeinträchtigen.
Eigenschaften
Hohe Härte und hervorragende mechanische Festigkeit
Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit
Wärmeausdehnung ähnlich der von Silizium
Hervorragende Wärmeleitfähigkeit
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit
Ungiftig und umweltfreundlich
Hohe elektrische Durchschlagsfestigkeit
Niedrige Dielektrizitätskonstante und minimaler dielektrischer Verlust
Datenblatt
Artikel | Einheit | Technische Parameter |
Reinheit | - | 95 |
Farbe | - | Hellgrau |
Dichte | g/cm3 | ≥3,30 |
Wasseraufnahme | - | 0 % |
Härte (HV0,5) | - | 1130 |
Elastizitätsmodul | Notendurchschnitt | 310-320 |
Bruchzähigkeit | Mpa.m1/2 | 3.5 |
Biegefestigkeit bei 25 °C | Mpa | 330 |
Druckfestigkeit bei 25 °C | Mpa | 2100 |
Wärmeleitfähigkeit bei 25 °C | W/MK | ≥170 |
Wärmeausdehnungskoeffizient (20~300℃) | 10-6/℃ | 4.7 |
Thermoschockbeständigkeit | △℃ | 400 |
Max. Betriebstemperatur @Klimaanlage | ℃ | 900 |
Max. Betriebstemperatur @Schutzbedingung für Inertgas | ℃ | 1800 |
Schmelzpunkt | ℃ | 2500 |
Durchschlagsfestigkeit | KV/mm | 17 |
Volumenwiderstand | Ohm.cm | >1014 |
Dielektrizitätskonstante (1 MHz, 25 °C) | - | 9 |
Dielektrischer Verlust (1 MHz, 25 °C) | - | 0,001 |
Anwendungen
Halbleiterausrüstungsmodule
Optische Kommunikations- und HF-Module
LED- und Laser-Verpackungsmodule
Leistungselektronikmodule
Wärmemanagementkomponenten
Hochfrequenz-Mikrowellen- und Radarmodule
Medizinische und sensorische Module
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