Der Markt für Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter soll bis 2030 1,578 Milliarden US-Dollar erreichen
Laut Daten von QY Research belief sich die globale Marktgröße für Siliziumkarbidkeramik (SiC), die in Halbleitern verwendet wird, im Jahr 2023 auf 1,111 Milliarden US-Dollar. Aufgrund der starren Nachfrage aus nachgelagerten Industrien wird prognostiziert, dass der Markt für Siliziumkarbidkeramik auf 1,578 Milliarden US-Dollar wachsen wird bis 2030, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 5,09 % von 2024 bis 2030.
Globale Marktgröße von Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter（Quelle: QY Research）
Siliziumkarbidkeramik: Ein unverzichtbares Material in Halbleitern
Die Halbleiterfertigung ist der Grundstein der modernen technologischen Entwicklung. Da die Industrie weiterhin nach kleineren, schnelleren und effizienteren integrierten Schaltkreisen strebt, nehmen auch die Präzision und die technische Komplexität des Herstellungsprozesses zu. Jeder Schritt dieses Prozesses ist auf leistungsstarke, hochwertige und hochpräzise Halbleiterausrüstung angewiesen.
Siliziumkarbidkeramiken mit ihrer hohen Härte, ihrem hohen Schmelzpunkt, ihrer hohen Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit sowie ihrer hervorragenden Oxidationsbeständigkeit, Hochtemperaturfestigkeit, chemischen Stabilität, Thermoschockbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Gasdichtheit werden häufig in verwendet Schlüsselausrüstung für die Halbleiterfertigung. Dazu gehören Anwendungen in kritischen Prozessen wie Schleifen und Polieren, Epitaxie/Oxidation/Diffusionswärmebehandlung, Lithographie, Abscheidung, Ätzen und Ionenimplantation.
Klassifizierung und Herstellungsprozesse von Siliziumkarbidkeramiken
Der Markt für Halbleiter-Siliziumkarbidkeramik kann nach Technologie kategorisiert werden. Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid ist das Hauptverfahren zur Herstellung von Siliziumkarbidkeramik und macht im Jahr 2023 66,48 % des weltweiten Marktumsatzes aus. Darüber hinaus halten CVD-Siliziumkarbid und drucklos gesintertes Siliziumkarbid ebenfalls bedeutende Marktanteile, obwohl andere Methoden relativ begrenzt sind Anwendung. CVD-Siliziumkarbidmaterialien eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Kombination hervorragender thermischer, elektrischer und chemischer Eigenschaften hervorragend für die Halbleiterindustrie. Sie werden häufig in Ätzgeräten, MOCVD-Geräten, SiC-Epitaxiegeräten, Geräten für die schnelle thermische Verarbeitung und mehr verwendet.
Laut QY Research erreichte der weltweite Marktumsatz für CVD-Siliziumkarbid-Komponenten im Jahr 2022 813 Millionen US-Dollar und soll bis 2028 auf 1,432 Milliarden US-Dollar wachsen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 10,61 %.
Hohe Konzentration auf dem Markt für Halbleiter-Siliziumkarbid-Keramik
Die Produktion von Halbleiter-Siliziumkarbidkeramik konzentriert sich hauptsächlich auf Nordamerika, Europa und Japan, wobei Japan der größte Produzent ist und im Jahr 2023 etwa 30 % der weltweiten Produktion ausmacht. Nordamerika, Europa, China, Japan, Taiwan und Südkorea ist die wichtigste Konsumregion. Unter diesen ist Kyocera aus Japan mit einem Umsatzanteil von rund 23,54 % im Jahr 2023 der größte Hersteller weltweit. Auch andere Unternehmen wie CoorsTek und Tokai Carbon sind in der Branche bekannt. Allerdings hat die Entwicklung präziser Siliziumkarbid-Strukturkomponenten für Halbleiterausrüstung in China später begonnen als bei international führenden Unternehmen, und es muss noch eine Lücke geschlossen werden.
Globaler Umsatz und Wachstumsrate von Siliziumkarbidkeramik für Halbleiter
Die in Halbleitergeräten verwendeten Siliziumkarbidkomponenten befinden sich am vorgelagerten Ende der Halbleiterlieferkette und spielen in der Branche eine entscheidende Rolle. Beeinflusst durch Veränderungen im internationalen Umfeld und in der Handelspolitik liegt der Schwerpunkt zunehmend auf der Verbesserung der unabhängigen Kontrolle Chinas über seine Halbleiterausrüstungs- und Komponentenindustrie. Inländische Geräte und Komponenten werden zunehmend von lokalen Waferherstellern und Epitaxiewaferproduzenten bevorzugt. Da lokale Hersteller ihre technologischen Entwicklungs- und Industrialisierungsprozesse beschleunigen, wird erwartet, dass sich die Lokalisierung von Siliziumkarbidkomponenten in Halbleitergeräten in Zukunft weiter beschleunigen wird.
Quelle:
QY-Forschung
Halbleiterprozesse und -ausrüstung
China Powder Network
Gaohong Investment Research Center
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