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Unter den Hochleistungskeramiken etabliert sich Siliziumkarbid (SiC) als führendes Material. Seine Kombination aus hoher Laserbeständigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit und allgemeiner Stabilität macht es hervorragend geeignet für moderne Laserbearbeitungsanwendungen.

Aluminiumoxidkeramik bietet die für die moderne LED-Technologie erforderliche thermische Stabilität, elektrische Isolation, mechanische Festigkeit und Kostenbalance.

Bei der Auswahl von Werkstoffen für Keramikkugellager sind Zirkonoxid (ZrO₂) und Siliziumnitrid (Si₃N₄) die beiden gängigsten Optionen. Beide Werkstoffe bieten ausgezeichnete Härte, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturleistung, unterscheiden sich jedoch in einigen technischen Aspekten deutlich.

Ein Metallkeramikheizgerät (MCH) ist ein kompaktes, hocheffizientes Heizelement, das einen Widerstandsschaltkreis in einen Keramikkörper einbettet – am häufigsten Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Siliziumnitrid (Si₃N₄).

Isolierende Elektronikkeramik ist für moderne elektrische und elektronische Systeme unverzichtbar. Von herkömmlichen Vakuumröhren und Mikrowellengeräten bis hin zu Elektrofahrzeugen und Fahrzeugzündsystemen der nächsten Generation ermöglichen Materialien wie Aluminiumoxidkeramik-Isolatoren, Talkkeramik und keramische Zündkerzenisolatoren einen sicheren, stabilen und effizienten Betrieb. Dank ihrer hervorragenden dielektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften bleiben diese Materialien auch weiterhin von entscheidender Bedeutung für die Weiterentwicklung von Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen.

Anfang 2025 gab die KYOCERA Fineceramics Europe GmbH die Gründung einer neuen Anlage in Erfurt, Deutschland, bekannt, um ihre bestehenden Kapazitäten im Bereich der Mehrdrahtsägetechnologie und Produktionsinfrastruktur zu erweitern.

Am 23. Dezember berichteten Medien wie The Economic Times, dass Silectric Semiconductor, eine Tochtergesellschaft der Zoho Corporation, in Karnataka die erste Halbleiterfabrik in Indien errichten werde, die auf die integrierte Produktion von Siliziumkarbid spezialisiert sei.

Kyocera hat kürzlich die Entwicklung eines neuen Siliziumnitrid-Keramikmaterials für Funktionstests von Mikrochips der nächsten Generation angekündigt. Dieses neue Material zeichnet sich durch verbesserte Wärmeausdehnungseigenschaften und Biegefestigkeit aus und ermöglicht die Herstellung dünner Siliziumnitridplatten mit extrem schmalen Abständen zwischen den Kontaktsonden, was für Tests von Mikrochips der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung ist.

Kürzlich hat KYOCERA den ersten Spatenstich für seine Feinkeramikfabrik für medizinische Implantate in Waiblingen bei Stuttgart gefeiert. Diese Anlage ist auf die Herstellung hochwertiger Keramikköpfe für Hüftprothesen und andere Implantatanwendungen spezialisiert. Das Projekt soll im September nächsten Jahres abgeschlossen sein.

Vor Kurzem hat das australische Unternehmen Alpha HPA mit dem Bau der zweiten Phase der weltweit größten Raffinerie für hochreine Aluminiumoxidoxid an einem Standort begonnen.

Laut Angaben von QY Research betrug das weltweite Marktvolumen für Siliziumkarbidkeramik (SiC), die in Halbleitern verwendet wird, im Jahr 2023 1,111 Milliarden US-Dollar. Aufgrund der starken Nachfrage der nachgelagerten Industrien wird prognostiziert, dass der Markt für Siliziumkarbidkeramik bis 2030 auf 1,578 Milliarden US-Dollar wachsen wird, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 5,09 % zwischen 2024 und 2030.