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Pyrolytisches Bornitrid (PBN)

PBN.pngPyrolytisches Bornitrid (PBN) ist ein ultrahochreiner Keramikwerkstoff, der durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) unter Hochtemperatur- und Vakuumbedingungen hergestellt wird und eine Reinheit von 99,999 % (5N-Klasse) erreicht. Seine außergewöhnliche chemische Inertheit und Hochtemperaturstabilität machen es zur idealen Wahl für die Halbleiterverarbeitung, Kristallzüchtung und Hochvakuumanwendungen. Die ultrahohe Reinheit von PBN gewährleistet minimale Verunreinigungen und ist daher unverzichtbar für MBE, MOCVD und andere fortschrittliche Materialherstellungsverfahren. Darüber hinaus macht seine Fähigkeit, die strukturelle Integrität unter extremen Bedingungen aufrechtzuerhalten, es zu einem bevorzugten Material für Tiegel, Verdampfungsquellen und Präzisionskomponenten in anspruchsvollen Industrien..


Eigenschaften


  • Ultrahohe Reinheit (99,999 %, 5N-Klasse).

  • Kein Ausgasen bei hohen Temperaturen.

  • Gleichmäßige Dicke für konstante Heizleistung.  

  • Hohe thermische Stabilität und Temperaturschockbeständigkeit. 

  • Gute mechanische Integrität, leicht zu reinigen und wiederverwendbar.

  • Chemisch äußerst inert, beständig gegen Säuren, Laugen und Lösungsmittel bei hohen Temperaturen. 

 

Datenblatt


DasselbeEinheitTechnische Parameter
Reinheit%psssst99.999
Farbe-Elfenbein
Dichteg/cm³1,95-2,22
GitterkonstanteM

a: 2,5 x 10-10  c: 6,8 x 10-10

ZugfestigkeitMpa40
BiegefestigkeitMpa80
Wärmeleitfähigkeit bei 200 °CW/mka:82,3 c:2,6
Wärmeleitfähigkeit bei 900 °CW/mka:55,3 c:2,8
Wärmeausdehnungskoeffizient10-6/K2(a)
Max. Betriebstemperatur bei Klimaanlage°C900
Max. Betriebstemperatur unter Vakuumbedingungen°C2000
Max. Betriebstemperatur@Inertgasschutz°C2200
Dielektrizitätskonstante (10 GHz)-a:5.2 c:3.8
DurchschlagsfestigkeitKV/mm56
Elektrischer WiderstandOhm.cm>1015


Anwendungen


  • Tiegel für das In-situ-Züchten von III-V-Halbleiter-Einkristallen (GaAs, InP, GaP usw.).

  • Tiegel und Schiffchen für die Züchtung von III-V-Ein- und Polykristallen.

  • Tiegel und Verdampfungsquellen für die Molekularstrahlepitaxie (MBE) und OLED-Verarbeitung.

  • IPBN-beschichtete Graphitheizgeräte und -komponenten für Hochtemperaturanwendungen.

  • Isolierkomponenten für Hochtemperatur-Vakuumöfen.

  • Hochtemperatur-Isolierdüsen.

  • PBN-Dämmplatten für MOCVD-Systeme.

  • Hochtemperatur-Elektroisolationsteile.

  • Tiegel für spezielle metallurgische Anwendungen.


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